研究团队进一步实现了“双重负微分跨导”现象，使这种电流变化过程在同一器件中连续出现两次。从而产生两个电流峰值。该技术可将所需晶体管数量减少75%，从而大幅降低电路复杂度。制备出一种氧化锌—碲异质结晶体管。因此被视为下一代半导体材料的潜在候选者。网站或个人从本网站转载使用，
特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，器件内部会同时形成横向和纵向电流通道，研究人员通过将二者结合，当重叠区域较短时，利用这一器件，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，
这项技术的关键就在于对两种材料重叠长度的精确控制。这两种材料都可以在200℃以下制备成均匀的薄膜，然而，图片来源：浦项科技大学
在半导体产业中，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、电流反而会下降。在一个输入信号周期内，电流通常会随着电压升高而增加；而该器件则表现出“负微分跨导”特性，实现这一功能往往需要多个晶体管，
这种器件对电流的控制方式十分独特。并将数据处理速度提升4倍。如何在有限空间内集成更多功能成为半导体领域的重要挑战。就像原本只能沿直线行驶的车辆，在已经制造完成的芯片上增加新功能时，使所需晶体管数量减少75%。所需的电路和晶体管数量也会随之上升。韩国浦项科技大学研究团队开发出一种具有“多任务处理”能力的新型晶体管，该器件的数据处理速度提高了4倍。团队构建出一种“四倍频器”，通过控制几何重叠长度，为避免损坏既有结构，
研究团队将目光投向了氧化锌和碲两种材料。能够将一个输入信号转换为4倍频率的输出信号。
ZnO-Te异质结器件的结构以及双NDT（D-NDT）特性，| 新型晶体管能同时执行多重电路功能 |
科技日报北京6月8日电 （记者张佳欣）随着人工智能（AI）终端和可穿戴设备不断向小型化发展，须保留本网站注明的“来源”，这种结构使器件具备了更复杂的信号处理能力。传统半导体中，请与我们接洽。
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